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7 月 7 日消息，消息据国外媒体报道，称星三星电子 6 月 30 日在官网宣布，电n订产他们采用全环绕栅极晶体管架构的艺首已预 3nm 制程工艺，已在当日开始初步生产芯片，家客先于台积电采用 3nm 工艺代工晶圆。户国

目前距离三星电子宣布初步生产已有一周的内厂时间，外媒在报道中，商高也给出了他们 3nm 制程工艺的通也更多信息。

外媒最新的消息报道显示，三星电子 3nm 制程工艺的称星首家客户，将是电n订产国内的一家专用集成电路应用公司，不过他们并未披露公司的艺首已预具体名称。

外媒在报道中还提到，家客作为三星电子晶圆代工最大客户的户国高通，也已经预订了 3nm 工艺的产能。消息人士透露，根据两家公司达成的协议，高通是随时都可以要求三星采用这一工艺为他们代工芯片。

不同于 7nm、5nm 等工艺所采用的鳍式场效应晶体管（FinFET）架构，三星电子的 3nm 制程工艺，是率先采用全环绕栅极晶体管架构。三星电子在官网上表示，同 5nm 工艺相比，他们的第一代 3nm 制程工艺所代工的芯片，功耗降低 45%，性能提升 23%，芯片面积减少 16%。

三星电子在晶圆代工领域的竞争对手台积电，目前也在推进 3nm 工艺的量产事宜，他们是计划在今年下半年量产，他们的 3nm 工艺，仍继续采用鳍式场效应晶体管架构。